DMN10H099SK3-13
DMN10H099SK3-13
部品型番:
DMN10H099SK3-13
メーカー:
Diodes Incorporated
説明:
MOSFET N-CH 100V 17A TO252
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
12876 Pieces
データシート:
DMN10H099SK3-13.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):3V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-252
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):80 mOhm @ 3.3A, 10V
電力消費(最大):34W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前:DMN10H099SK3-13DITR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:8 Weeks
製造元の部品番号:DMN10H099SK3-13
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1172pF @ 50V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:25.2nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 100V 17A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount TO-252
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:100V
説明:MOSFET N-CH 100V 17A TO252
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):17A (Tc)
Email:[email protected]

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