EMX5T2R - Rohm Semiconductor - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ EMX5T2R

EMX5T2R

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	11V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	500mV @ 5mA, 10mA
トランジスタ型式:	2 NPN (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ:	EMT6
シリーズ:	-
電力 - 最大:	150mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	SOT-563, SOT-666
他の名前:	EMX5T2R-ND EMX5T2RTR
運転温度:	150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	EMX5T2R
周波数 - トランジション:	3.2GHz
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 11V 50mA 3.2GHz 150mW Surface Mount EMT6
説明:	TRANS 2NPN 11V 0.05A 6EMT
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	56 @ 5mA, 10V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	500nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	50mA
Email:	[email protected]