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EPC2012
EPC2012
部品型番:
EPC2012
メーカー:
EPC
説明:
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
15514 Pieces
データシート:
EPC2012.pdf
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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:2.5V @ 1mA
技術:GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤデバイスパッケージ:Die
シリーズ:eGaN®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:100 mOhm @ 3A, 5V
電力消費（最大）:-
パッケージング:Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース:Die
他の名前:917-1017-1
運転温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
製造元の部品番号:EPC2012
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:145pF @ 100V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:1.8nC @ 5V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 200V 3A (Ta) Surface Mount Die
ソース電圧（VDSS）にドレイン:200V
説明:TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:3A (Ta)
Email:[email protected]

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