EPC2016 - EPC - トランジスタ-fet、mosfet-シングル EPC2016 - BYCHIPS

EPC2016

部品型番:: EPC2016

メーカー:: EPC

説明:: TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE

フリーステータス/ RoHS状態:: 鉛フリー/ RoHS準拠

在庫数量:: 17206 Pieces

データシート:: EPC2016.pdf

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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:	2.5V @ 3mA
技術:	GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤデバイスパッケージ:	Die
シリーズ:	eGaN®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	16 mOhm @ 11A, 5V
電力消費（最大）:	-
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	Die
他の名前:	917-1027-2
運転温度:	-40°C ~ 125°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	EPC2016
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	520pF @ 50V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	5.2nC @ 5V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 100V 11A (Ta) Surface Mount Die
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	100V
説明:	TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	11A (Ta)
Email:	[email protected]

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