English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
関連情報 | お問い合わせ | オンラインお問い合わせ |
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > EPC8008ENGR
EPC8008ENGR
EPC8008ENGR
部品型番:
EPC8008ENGR
メーカー:
EPC
説明:
TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
14274 Pieces
データシート:
1.EPC8008ENGR.pdf2.EPC8008ENGR.pdf
オンラインお問い合わせ

簡潔な

BYCHIPSは、 EPC8008ENGR、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください EPC8008ENGRをメールでお送りします。
購入 EPC8008ENGRとBYCHPS
保証付きで購入する

規格

同上@ VGS（TH）（最大）:2.5V @ 250µA
技術:GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤデバイスパッケージ:Die
シリーズ:eGaN®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:325 mOhm @ 500mA, 5V
電力消費（最大）:-
パッケージング:Tray
パッケージ/ケース:Die
他の名前:917-EPC8008ENGR
運転温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
製造元の部品番号:EPC8008ENGR
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:25pF @ 20V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:0.18nC @ 5V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 40V 2.7A (Ta) Surface Mount Die
ソース電圧（VDSS）にドレイン:40V
説明:TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:2.7A (Ta)
Email:[email protected]

クイック見積もり

部品型番
数量
会社
Eメール
電話番号
備考

同様のモデルのEPC8008ENGR

絵 部品型番 メーカー 説明 ビュー
EPC8003ENGR Image EPC8003ENGR EPC TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE オンラインお問い合わせ
EPC8009ENGR Image EPC8009ENGR EPC TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE オンラインお問い合わせ
EPC8005ENGR Image EPC8005ENGR EPC TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE オンラインお問い合わせ
EPC8010 Image EPC8010 EPC TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE オンラインお問い合わせ
EPC8007ENGR Image EPC8007ENGR EPC TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE オンラインお問い合わせ
EPC8002ENGR Image EPC8002ENGR EPC TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE オンラインお問い合わせ
EPC8004 Image EPC8004 EPC TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE オンラインお問い合わせ
EPC8004ENGR Image EPC8004ENGR EPC TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE オンラインお問い合わせ
EPC8002 Image EPC8002 EPC TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE オンラインお問い合わせ
EPC8009 Image EPC8009 EPC TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE オンラインお問い合わせ
EPC8010ENGR Image EPC8010ENGR EPC TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE オンラインお問い合わせ

最新ニュース