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EPC8010ENGR
EPC8010ENGR
部品型番:
EPC8010ENGR
メーカー:
EPC
説明:
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
16037 Pieces
データシート:
EPC8010ENGR.pdf
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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:2.5V @ 250µA
技術:GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤデバイスパッケージ:Die
シリーズ:eGaN®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:160 mOhm @ 500mA, 5V
電力消費（最大）:-
パッケージング:Tray
パッケージ/ケース:-
他の名前:917-EPC8010ENGR
EPC8010ENGJ
運転温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
製造元の部品番号:EPC8010ENGR
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:55pF @ 50V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:0.48nC @ 5V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 100V 2.7A (Ta) Surface Mount Die
ソース電圧（VDSS）にドレイン:100V
説明:TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:2.7A (Ta)
Email:[email protected]

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