FDB14AN06LA0
FDB14AN06LA0
部品型番:
FDB14AN06LA0
メーカー:
Fairchild/ON Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
16063 Pieces
データシート:
FDB14AN06LA0.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):3V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:D²PAK (TO-263AB)
シリーズ:PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):11.6 mOhm @ 67A, 10V
電力消費(最大):125W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:FDB14AN06LA0
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:2900pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:31nC @ 5V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 60V 10A (Ta), 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
ソース電圧(VDSS)にドレイン:60V
説明:MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):10A (Ta), 67A (Tc)
Email:[email protected]

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