FDMS4435BZ
部品型番:
FDMS4435BZ
メーカー:
Fairchild/ON Semiconductor
説明:
MOSFET P-CH 30V 9A POWER56
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
12160 Pieces
データシート:
FDMS4435BZ.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):3V @ 250µA
Vgs(最大):±25V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:8-PQFN (5x6), Power56
シリーズ:PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):20 mOhm @ 9A, 10V
電力消費(最大):2.5W (Ta), 39W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
他の名前:FDMS4435BZ-ND
FDMS4435BZTR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:12 Weeks
製造元の部品番号:FDMS4435BZ
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:2050pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:47nC @ 10V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
拡張された説明:P-Channel 30V 9A (Ta), 18A (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
説明:MOSFET P-CH 30V 9A POWER56
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):9A (Ta), 18A (Tc)
Email:[email protected]

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