購入 FQA8N100CとBYCHPS
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FQA8N100C
- 部品型番:
- FQA8N100C
- 説明:
- MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 16070 Pieces
- データシート:
- FQA8N100C.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 FQA8N100C、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください FQA8N100Cをメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±30V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | TO-3PN |
| シリーズ: | QFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 1.45 Ohm @ 4A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 225W (Tc) |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 他の名前: | FQA8N100C-ND FQA8N100CFS |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 20 Weeks |
| 製造元の部品番号: | FQA8N100C |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 3220pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 70nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 1000V (1kV) 8A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-3PN |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 1000V (1kV) |
| 説明: | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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