FQI27P06TU
FQI27P06TU
部品型番:
FQI27P06TU
メーカー:
Fairchild/ON Semiconductor
説明:
MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
19383 Pieces
データシート:
FQI27P06TU.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:I2PAK
シリーズ:QFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):70 mOhm @ 13.5A, 10V
電力消費(最大):3.75W (Ta), 120W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:FQI27P06TU
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1400pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:43nC @ 10V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
拡張された説明:P-Channel 60V 27A (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) Through Hole I2PAK
ソース電圧(VDSS)にドレイン:60V
説明:MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):27A (Tc)
Email:[email protected]

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