HN4C06J-BL(TE85L,F - Toshiba Semiconductor and Storage - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ HN4C06J-BL(TE85L,F

HN4C06J-BL(TE85L,F

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	120V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	300mV @ 1mA, 10mA
トランジスタ型式:	2 NPN (Dual) Common Emitter
サプライヤデバイスパッケージ:	SMV
シリーズ:	-
電力 - 最大:	300mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	SC-74A, SOT-753
他の名前:	HN4C06J-BL(TE85LFTR
運転温度:	150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
メーカーの標準リードタイム:	14 Weeks
製造元の部品番号:	HN4C06J-BL(TE85L,F
周波数 - トランジション:	100MHz
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Common Emitter 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV
説明:	TRANS 2 NPN 120V 100MA SC74A
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	200 @ 2mA, 6V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	100mA
Email:	[email protected]