IPD65R600C6BTMA1 - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IPD65R600C6BTMA1

IPD65R600C6BTMA1

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同上@ VGS（TH）（最大）:	3.5V @ 210µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	PG-TO252-3
シリーズ:	CoolMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	600 mOhm @ 2.1A, 10V
電力消費（最大）:	63W (Tc)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前:	IPD65R600C6 IPD65R600C6-ND IPD65R600C6TR-ND SP000745020
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	IPD65R600C6BTMA1
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	440pF @ 100V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	23nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 650V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	650V
説明:	MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	7.3A (Tc)
Email:	[email protected]