購入 IPD65R660CFDAATMA1とBYCHPS
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IPD65R660CFDAATMA1
- 部品型番:
- IPD65R660CFDAATMA1
- 説明:
- MOSFET N-CH TO252-3
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 15617 Pieces
- データシート:
- IPD65R660CFDAATMA1.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 IPD65R660CFDAATMA1、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください IPD65R660CFDAATMA1をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4.5V @ 214.55µA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO252-3 |
| シリーズ: | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 660 mOhm @ 3.22A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 62.5W (Tc) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 他の名前: | SP000928260 |
| 運転温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 16 Weeks |
| 製造元の部品番号: | IPD65R660CFDAATMA1 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 543pF @ 100V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 20nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 650V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 650V |
| 説明: | MOSFET N-CH TO252-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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