購入 IPSH4N03LA GとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 2V @ 40µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO251-3 |
シリーズ: | OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 4.4 mOhm @ 60A, 10V |
電力消費(最大): | 94W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
他の名前: | IPSH4N03LAGX SP000016331 |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
製造元の部品番号: | IPSH4N03LA G |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 3200pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 26nC @ 5V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 25V 90A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 25V |
説明: | MOSFET N-CH 25V 90A IPAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 90A (Tc) |
Email: | [email protected] |