購入 IRF6644TR1PBFとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4.8V @ 150µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | DIRECTFET™ MN |
シリーズ: | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 13 mOhm @ 10.3A, 10V |
電力消費(最大): | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | DirectFET™ Isometric MN |
他の名前: | IRF6644TR1PBFTR SP001561794 |
運転温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | IRF6644TR1PBF |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 2210pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 47nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 100V 10.3A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 100V |
説明: | MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 10.3A (Ta), 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |