購入 IRF6645とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4.9V @ 50µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | DIRECTFET™ SJ |
シリーズ: | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 35 mOhm @ 5.7A, 10V |
電力消費(最大): | 3W (Ta), 42W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | DirectFET™ Isometric SJ |
運転温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
製造元の部品番号: | IRF6645 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 890pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 20nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 100V 5.7A (Ta), 25A (Tc) 3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SJ |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 100V |
説明: | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 5.7A (Ta), 25A (Tc) |
Email: | [email protected] |