購入 IRFB59N10DPBFとBYCHPS
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IRFB59N10DPBF
- 部品型番:
- IRFB59N10DPBF
- 説明:
- MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 14046 Pieces
- データシート:
- IRFB59N10DPBF.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 IRFB59N10DPBF、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください IRFB59N10DPBFをメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 5.5V @ 250µA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | TO-220AB |
| シリーズ: | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 25 mOhm @ 35.4A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | TO-220-3 |
| 他の名前: | *IRFB59N10DPBF SP001560232 |
| 運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 14 Weeks |
| 製造元の部品番号: | IRFB59N10DPBF |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 2450pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 114nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 100V 59A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 100V |
| 説明: | MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 59A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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