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IXTT10N100D
IXTT10N100D
部品型番:
IXTT10N100D
メーカー:
IXYS Corporation
説明:
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
16866 Pieces
データシート:
IXTT10N100D.pdf
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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:3.5V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-268
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:1.4 Ohm @ 10A, 10V
電力消費（最大）:400W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:8 Weeks
製造元の部品番号:IXTT10N100D
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:2500pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:130nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:Depletion Mode
拡張された説明:N-Channel 1000V (1kV) 10A (Tc) 400W (Tc) Surface Mount TO-268
ソース電圧（VDSS）にドレイン:1000V (1kV)
説明:MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:10A (Tc)
Email:[email protected]

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