IXTT10N100D2
IXTT10N100D2
部品型番:
IXTT10N100D2
メーカー:
IXYS Corporation
説明:
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
16879 Pieces
データシート:
IXTT10N100D2.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):-
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-268
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):1.5 Ohm @ 5A, 10V
電力消費(最大):695W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:12 Weeks
製造元の部品番号:IXTT10N100D2
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:5320pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:200nC @ 5V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:Depletion Mode
拡張された説明:N-Channel 1000V (1kV) 10A (Tc) 695W (Tc) Surface Mount TO-268
ソース電圧(VDSS)にドレイン:1000V (1kV)
説明:MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):10A (Tc)
Email:[email protected]

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