IRFH4209DTRPBF - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IRFH4209DTRPBF

IRFH4209DTRPBF

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2.1V @ 100µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	PQFN (5x6)
シリーズ:	FASTIRFET™, HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	1.1 mOhm @ 50A, 10V
電力消費（最大）:	3.5W (Ta), 125W (Tc)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	8-PowerTDFN
他の名前:	SP001554690
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	IRFH4209DTRPBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	4620pF @ 13V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	74nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 25V 44A (Ta), 260A (Tc) 3.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	25V
説明:	MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	44A (Ta), 260A (Tc)
Email:	[email protected]