IRFH4226TRPBF - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IRFH4226TRPBF

IRFH4226TRPBF

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2.1V @ 50µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	8-PQFN (5x6)
シリーズ:	FASTIRFET™, HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	2.4 mOhm @ 30A, 10V
電力消費（最大）:	3.4W (Ta), 46W (Tc)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	8-PowerTDFN
他の名前:	IRFH4226TRPBFTR SP001565802
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	IRFH4226TRPBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	2000pF @ 13V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	32nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 25V 30A (Ta), 70A (Tc) 3.4W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	25V
説明:	MOSFET N-CH 25V 70A PQFN 5X6
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	30A (Ta), 70A (Tc)
Email:	[email protected]