IXFA6N120P
IXFA6N120P
部品型番:
IXFA6N120P
メーカー:
IXYS Corporation
説明:
MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17796 Pieces
データシート:
IXFA6N120P.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):5V @ 1mA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-263 (IXFA)
シリーズ:HiPerFET™, PolarP2™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):2.4 Ohm @ 500mA, 10V
電力消費(最大):250W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:8 Weeks
製造元の部品番号:IXFA6N120P
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:2830pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:92nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 1200V (1.2kV) 6A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:1200V (1.2kV)
説明:MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):6A (Tc)
Email:[email protected]

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