購入 IXTH10P60とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 5V @ 250µA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-247 (IXTH) |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 1 Ohm @ 5A, 10V |
電力消費(最大): | 300W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-247-3 |
他の名前: | Q1152201 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
製造元の部品番号: | IXTH10P60 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 4700pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 160nC @ 10V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | P-Channel 600V 10A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 600V |
説明: | MOSFET P-CH 600V 10A TO-247AD |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 10A (Tc) |
Email: | [email protected] |