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IXTH1N200P3
IXTH1N200P3
部品型番:
IXTH1N200P3
メーカー:
IXYS Corporation
説明:
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
12042 Pieces
データシート:
IXTH1N200P3.pdf
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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:4V @ 250µA
Vgs（最大）:±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-247 (IXTH)
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:40 Ohm @ 500mA, 10V
電力消費（最大）:125W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-247-3
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:8 Weeks
製造元の部品番号:IXTH1N200P3
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:646pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:23.5nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 2000V (2kV) 1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:2000V (2kV)
説明:MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:1A (Tc)
Email:[email protected]

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