IXTH1N200P3HV - IXYS - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IXTH1N200P3HV - BYCHIPS

IXTH1N200P3HV

部品型番:: IXTH1N200P3HV

メーカー:: IXYS Corporation

説明:: MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV

フリーステータス/ RoHS状態:: 鉛フリー/ RoHS準拠

在庫数量:: 19370 Pieces

データシート:: IXTH1N200P3HV.pdf

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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:	4V @ 250µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-247HV
シリーズ:	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	40 Ohm @ 500mA, 10V
電力消費（最大）:	125W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-247-3 Variant
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	8 Weeks
製造元の部品番号:	IXTH1N200P3HV
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	646pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	23.5nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 2000V (2kV) 1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247HV
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	2000V (2kV)
説明:	MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	1A (Tc)
Email:	[email protected]

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