購入 NDD03N80Z-1GとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4.5V @ 50µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | I-Pak |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 4.5 Ohm @ 1.2A, 10V |
電力消費(最大): | 96W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
メーカーの標準リードタイム: | 10 Weeks |
製造元の部品番号: | NDD03N80Z-1G |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 440pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 17nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 800V 2.9A (Tc) 96W (Tc) Through Hole I-Pak |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 800V |
説明: | MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 2.9A (Tc) |
Email: | [email protected] |