NDD03N40Z-1G
NDD03N40Z-1G
部品型番:
NDD03N40Z-1G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK-4
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
13699 Pieces
データシート:
NDD03N40Z-1G.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4.5V @ 50µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:IPAK (TO-251)
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):3.4 Ohm @ 600mA, 10V
電力消費(最大):37W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):3 (168 Hours)
メーカーの標準リードタイム:4 Weeks
製造元の部品番号:NDD03N40Z-1G
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:140pF @ 50V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:6.6nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 400V 2.1A (Tc) 37W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
ソース電圧(VDSS)にドレイン:400V
説明:MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK-4
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):2.1A (Tc)
Email:[email protected]

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