NSV40300MDR2G - ON Semiconductor - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ NSV40300MDR2G

NSV40300MDR2G

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	40V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	170mV @ 200mA, 2A
トランジスタ型式:	2 PNP (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ:	8-SOIC
シリーズ:	-
電力 - 最大:	653mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	7 Weeks
製造元の部品番号:	NSV40300MDR2G
周波数 - トランジション:	100MHz
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 3A 100MHz 653mW Surface Mount 8-SOIC
説明:	TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	180 @ 1A, 2V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	3A
Email:	[email protected]

部品型番	メーカー	説明	ビュー
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NSV40302PDR2G	ON Semiconductor	TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC	オンラインお問い合わせ
NSV40300MZ4T1G	ON Semiconductor	TRANS PNP 40V 3A SOT223	オンラインお問い合わせ
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PBSS4230PANP,115	Nexperia USA Inc.	TRANS NPN/PNP 30V 2A 6HUSON	オンラインお問い合わせ
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