NSV40302PDR2G - ON Semiconductor - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ NSV40302PDR2G

NSV40302PDR2G

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	40V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	115mV @ 200mA, 2A
トランジスタ型式:	NPN, PNP
サプライヤデバイスパッケージ:	8-SOIC
シリーズ:	-
電力 - 最大:	653mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	4 Weeks
製造元の部品番号:	NSV40302PDR2G
周波数 - トランジション:	100MHz
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V 3A 100MHz 653mW Surface Mount 8-SOIC
説明:	TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	180 @ 1A, 2V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	3A
Email:	[email protected]