RW1A030APT2CR
RW1A030APT2CR
部品型番:
RW1A030APT2CR
メーカー:
LAPIS Semiconductor
説明:
MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
18793 Pieces
データシート:
1.RW1A030APT2CR.pdf2.RW1A030APT2CR.pdf3.RW1A030APT2CR.pdf4.RW1A030APT2CR.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):1V @ 1mA
Vgs(最大):-8V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:6-WEMT
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):42 mOhm @ 3A, 4.5V
電力消費(最大):700mW (Ta)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:SOT-563, SOT-666
他の名前:RW1A030APT2CR-ND
RW1A030APT2CRTR
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:10 Weeks
製造元の部品番号:RW1A030APT2CR
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:2700pF @ 6V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:22nC @ 4.5V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
拡張された説明:P-Channel 12V 3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.5V, 4.5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:12V
説明:MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):3A (Ta)
Email:[email protected]

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