購入 RW1A013ZPT2RとBYCHPS
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RW1A013ZPT2R
- 部品型番:
- RW1A013ZPT2R
- メーカー:
- LAPIS Semiconductor
- 説明:
- MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 12021 Pieces
- データシート:
- RW1A013ZPT2R.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 RW1A013ZPT2R、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください RW1A013ZPT2Rをメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±10V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | 6-WEMT |
| シリーズ: | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V |
| 電力消費（最大）: | 400mW (Ta) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | SOT-563, SOT-666 |
| 他の名前: | RW1A013ZPT2R-ND RW1A013ZPT2RTR |
| 運転温度: | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 10 Weeks |
| 製造元の部品番号: | RW1A013ZPT2R |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 290pF @ 6V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 2.4nC @ 4.5V |
| FETタイプ: | P-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | P-Channel 12V 1.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 1.5V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 12V |
| 説明: | MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 1.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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