SIA483DJ-T1-GE3
SIA483DJ-T1-GE3
部品型番:
SIA483DJ-T1-GE3
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
18754 Pieces
データシート:
SIA483DJ-T1-GE3.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):2.2V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:PowerPAK® SC-70-6 Single
シリーズ:TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):21 mOhm @ 5A, 10V
電力消費(最大):3.5W (Ta), 19W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:PowerPAK® SC-70-6
他の名前:SIA483DJ-T1-GE3TR
SIA483DJT1GE3
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:15 Weeks
製造元の部品番号:SIA483DJ-T1-GE3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1550pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:45nC @ 10V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
拡張された説明:P-Channel 30V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
説明:MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):12A (Tc)
Email:[email protected]

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