購入 SI4500BDY-T1-GE3とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 1.5V @ 250µA |
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サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SO |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 20 mOhm @ 9.1A, 4.5V |
電力 - 最大: | 1.3W |
パッケージング: | Original-Reel® |
パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
他の名前: | SI4500BDY-T1-GE3DKR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | SI4500BDY-T1-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 17nC @ 4.5V |
FETタイプ: | N and P-Channel, Common Drain |
FET特長: | Logic Level Gate |
拡張された説明: | Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 20V 6.6A, 3.8A 1.3W Surface Mount 8-SO |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 20V |
説明: | MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 6.6A, 3.8A |
Email: | [email protected] |