購入 SI5429DU-T1-GE3とBYCHPS
保証付きで購入する
同上@ VGS(TH)(最大): | 2.2V @ 250µA |
---|---|
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PowerPAK® ChipFet Dual |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 15 mOhm @ 7A, 10V |
電力消費(最大): | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
パッケージング: | Original-Reel® |
パッケージ/ケース: | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
他の名前: | SI5429DU-T1-GE3DKR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | SI5429DU-T1-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 2320pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 63nC @ 10V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | P-Channel 30V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 30V |
説明: | MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 12A (Tc) |
Email: | [email protected] |