SI7601DN-T1-E3
SI7601DN-T1-E3
部品型番:
SI7601DN-T1-E3
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17266 Pieces
データシート:
SI7601DN-T1-E3.pdf

簡潔な

BYCHIPSは、 SI7601DN-T1-E3、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください SI7601DN-T1-E3をメールでお送りします。
購入 SI7601DN-T1-E3とBYCHPS
保証付きで購入する

規格

同上@ VGS(TH)(最大):1.6V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:PowerPAK® 1212-8
シリーズ:TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):19.2 mOhm @ 11A, 4.5V
電力消費(最大):3.8W (Ta), 52W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:PowerPAK® 1212-8
運転温度:-50°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:SI7601DN-T1-E3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1870pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:27nC @ 5V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
拡張された説明:P-Channel 20V 16A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
ソース電圧(VDSS)にドレイン:20V
説明:MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):16A (Tc)
Email:[email protected]

クイック見積もり

部品型番
数量
会社
Eメール
電話番号
備考