SI8409DB-T1-E1
SI8409DB-T1-E1
部品型番:
SI8409DB-T1-E1
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17285 Pieces
データシート:
SI8409DB-T1-E1.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):1.4V @ 250µA
Vgs(最大):±12V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:4-Microfoot
シリーズ:TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):46 mOhm @ 1A, 4.5V
電力消費(最大):1.47W (Ta)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:4-XFBGA, CSPBGA
他の名前:SI8409DB-T1-E1TR
SI8409DBT1E1
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:15 Weeks
製造元の部品番号:SI8409DB-T1-E1
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:-
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:26nC @ 4.5V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
拡張された説明:P-Channel 30V 4.6A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V, 4.5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
説明:MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):4.6A (Ta)
Email:[email protected]

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