購入 SI8405DB-T1-E1とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 950mV @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 4-Microfoot |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 55 mOhm @ 1A, 4.5V |
電力消費(最大): | 1.47W (Ta) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 4-XFBGA, CSPBGA |
他の名前: | SI8405DB-T1-E1TR SI8405DBT1E1 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | SI8405DB-T1-E1 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 21nC @ 4.5V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | P-Channel 12V 3.6A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 4-Microfoot |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 12V |
説明: | MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 3.6A (Ta) |
Email: | [email protected] |