購入 SIHB35N60E-GE3とBYCHPS
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SIHB35N60E-GE3
- 部品型番:
- SIHB35N60E-GE3
- メーカー:
- Vishay / Siliconix
- 説明:
- MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 19619 Pieces
- データシート:
- SIHB35N60E-GE3.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 SIHB35N60E-GE3、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください SIHB35N60E-GE3をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | D²PAK (TO-263) |
| シリーズ: | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 94 mOhm @ 17A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 250W (Tc) |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 他の名前: | SiHB35N60E-GE3 |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 10 Weeks |
| 製造元の部品番号: | SIHB35N60E-GE3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 2760pF @ 100V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 132nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 650V 32A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 650V |
| 説明: | MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 32A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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