購入 SISS23DN-T1-GE3とBYCHPS
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SISS23DN-T1-GE3
- 部品型番:
- SISS23DN-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay / Siliconix
- 説明:
- MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 17227 Pieces
- データシート:
- SISS23DN-T1-GE3.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 SISS23DN-T1-GE3、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください SISS23DN-T1-GE3をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 900mV @ 250µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±8V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
| シリーズ: | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 4.5 mOhm @ 20A, 4.5V |
| 電力消費（最大）: | 4.8W (Ta), 57W (Tc) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | 8-PowerVDFN |
| 他の名前: | SISS23DN-T1-GE3TR |
| 運転温度: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 24 Weeks |
| 製造元の部品番号: | SISS23DN-T1-GE3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 8840pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 300nC @ 10V |
| FETタイプ: | P-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | P-Channel 20V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 1.8V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 20V |
| 説明: | MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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