購入 SPB12N50C3とBYCHPS
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SPB12N50C3
- 部品型番:
- SPB12N50C3
- 説明:
- MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-263
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 16205 Pieces
- データシート:
- SPB12N50C3.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 SPB12N50C3、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください SPB12N50C3をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 3.9V @ 500µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO263-3-2 |
| シリーズ: | CoolMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 380 mOhm @ 7A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 125W (Tc) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 他の名前: | SP000014894 SPB12N50C3-ND SPB12N50C3ATMA1 SPB12N50C3INTR SPB12N50C3XT |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 8 Weeks |
| 製造元の部品番号: | SPB12N50C3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 1200pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 49nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 560V 11.6A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 560V |
| 説明: | MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-263 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 11.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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