購入 SQ3460EV-T1_GE3とBYCHPS
保証付きで購入する
同上@ VGS(TH)(最大): | 1V @ 250µA |
---|---|
Vgs(最大): | ±8V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 6-TSOP |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 30 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
電力消費(最大): | 3.6W (Tc) |
パッケージング: | Original-Reel® |
パッケージ/ケース: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
他の名前: | SQ3460EV-T1-GE3DKR SQ3460EV-T1-GE3DKR-ND SQ3460EV-T1_GE3DKR |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 18 Weeks |
製造元の部品番号: | SQ3460EV-T1_GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1060pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 14nC @ 4.5V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 20V 8A (Tc) 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 1.8V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 20V |
説明: | MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 8A (Tc) |
Email: | [email protected] |