SQJ200EP-T1_GE3
SQJ200EP-T1_GE3
部品型番:
SQJ200EP-T1_GE3
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17297 Pieces
データシート:
SQJ200EP-T1_GE3.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):2V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
シリーズ:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):8.8 mOhm @ 16A, 10V
電力 - 最大:27W, 48W
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:PowerPAK® SO-8 Dual
他の名前:SQJ200EP-T1_GE3TR
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:18 Weeks
製造元の部品番号:SQJ200EP-T1_GE3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:975pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:18nC @ 10V
FETタイプ:2 N-Channel (Dual)
FET特長:Standard
拡張された説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 20A, 60A 27W, 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
ソース電圧(VDSS)にドレイン:20V
説明:MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):20A, 60A
Email:[email protected]

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