SQM100N04-2M7_GE3
SQM100N04-2M7_GE3
部品型番:
SQM100N04-2M7_GE3
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
18890 Pieces
データシート:
SQM100N04-2M7_GE3.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):3.5V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-263 (D²Pak)
シリーズ:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):2.7 mOhm @ 30A, 10V
電力消費(最大):157W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:SQM100N04-2M7-GE3
SQM100N04-2M7-GE3-ND
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:18 Weeks
製造元の部品番号:SQM100N04-2M7_GE3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:7910pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:145nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 40V 100A (Tc) 157W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
ソース電圧(VDSS)にドレイン:40V
説明:MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):100A (Tc)
Email:[email protected]

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