購入 TK10E60W,S1VXとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 3.7V @ 500µA |
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Vgs(最大): | ±30V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-220 |
シリーズ: | DTMOSIV |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 380 mOhm @ 4.9A, 10V |
電力消費(最大): | 100W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-220-3 |
他の名前: | TK10E60W,S1VX(S TK10E60WS1VX |
運転温度: | 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 16 Weeks |
製造元の部品番号: | TK10E60W,S1VX |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 700pF @ 300V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 20nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | Super Junction |
拡張された説明: | N-Channel 600V 9.7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-220 |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 600V |
説明: | MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 9.7A (Ta) |
Email: | [email protected] |