TK10E60W,S1VX
TK10E60W,S1VX
部品型番:
TK10E60W,S1VX
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
14206 Pieces
データシート:
TK10E60W,S1VX.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):3.7V @ 500µA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-220
シリーズ:DTMOSIV
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):380 mOhm @ 4.9A, 10V
電力消費(最大):100W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-220-3
他の名前:TK10E60W,S1VX(S
TK10E60WS1VX
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:16 Weeks
製造元の部品番号:TK10E60W,S1VX
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:700pF @ 300V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:20nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:Super Junction
拡張された説明:N-Channel 600V 9.7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-220
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:600V
説明:MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):9.7A (Ta)
Email:[email protected]

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