購入 TK12E80W,S1XとBYCHPS
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TK12E80W,S1X
- 部品型番:
- TK12E80W,S1X
- 説明:
- MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220-3
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 14482 Pieces
- データシート:
- TK12E80W,S1X.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 TK12E80W,S1X、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください TK12E80W,S1Xをメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4V @ 570µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | TO-220 |
| シリーズ: | DTMOSIV |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 450 mOhm @ 5.8A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 165W (Tc) |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | TO-220-3 |
| 他の名前: | TK12E80W,S1X(S TK12E80WS1X |
| 運転温度: | 150°C |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 12 Weeks |
| 製造元の部品番号: | TK12E80W,S1X |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 1400pF @ 300V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 23nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 800V 11.5A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-220 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 800V |
| 説明: | MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 11.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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