TPH3206PSB - Transphorm - トランジスタ-fet、mosfet-シングル TPH3206PSB - BYCHIPS

TPH3206PSB

部品型番:: TPH3206PSB

メーカー:: Transphorm

説明:: GAN FET 650V 16A TO220

在庫数量:: 18132 Pieces

データシート:: TPH3206PSB.pdf

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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:	2.6V @ 500µA
Vgs（最大）:	±18V
技術:	GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-220
シリーズ:	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	180 mOhm @ 11A, 8V
電力消費（最大）:	81W (Tc)
パッケージ/ケース:	TO-220-3
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
メーカーの標準リードタイム:	10 Weeks
製造元の部品番号:	TPH3206PSB
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	760pF @ 480V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	9.3nC @ 4.5V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Through Hole TO-220
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	-
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	650V
説明:	GAN FET 650V 16A TO220
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	16A (Tc)
Email:	[email protected]

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