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TPH3205WSBQA
部品型番:
TPH3205WSBQA
メーカー:
Transphorm
説明:
GAN FET 650V 35A TO247
在庫数量:
14464 Pieces
データシート:
1.TPH3205WSBQA.pdf2.TPH3205WSBQA.pdf
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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:2.6V @ 700µA
Vgs（最大）:±18V
技術:GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-247
シリーズ:Automotive, AEC-Q101
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:62 mOhm @ 22A, 8V
電力消費（最大）:125W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-247-3
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
メーカーの標準リードタイム:10 Weeks
製造元の部品番号:TPH3205WSBQA
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:2200pF @ 400V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:42nC @ 8V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 650V 35A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:-
ソース電圧（VDSS）にドレイン:650V
説明:GAN FET 650V 35A TO247
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:35A (Tc)
Email:[email protected]

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