TK14G65W,RQ
TK14G65W,RQ
部品型番:
TK14G65W,RQ
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
15082 Pieces
データシート:
TK14G65W,RQ.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):3.5V @ 690µA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:D2PAK
シリーズ:DTMOSIV
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):250 mOhm @ 6.9A, 10V
電力消費(最大):130W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:TK14G65W,RQ(S
TK14G65WRQTR
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:12 Weeks
製造元の部品番号:TK14G65W,RQ
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1300pF @ 300V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:35nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 650V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:650V
説明:MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):13.7A (Ta)
Email:[email protected]

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