TPN4R303NL,L1Q
TPN4R303NL,L1Q
部品型番:
TPN4R303NL,L1Q
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
16176 Pieces
データシート:
TPN4R303NL,L1Q.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):2.3V @ 200µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:8-TSON Advance (3.3x3.3)
シリーズ:U-MOSVIII-H
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):4.3 mOhm @ 20A, 10V
電力消費(最大):700mW (Ta), 34W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
他の名前:TPN4R303NL,L1Q(M
TPN4R303NLL1QTR
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:12 Weeks
製造元の部品番号:TPN4R303NL,L1Q
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1400pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:14.8nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 30V 40A (Tc) 700mW (Ta), 34W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
説明:MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):40A (Tc)
Email:[email protected]

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